Die Grenzfläche zwischen Silizium und Kieselsäure. Hochreines Siliziumpulver weist gute Grenzflächeneigenschaften auf. Verglichen mit der Grenzfläche anderer Halbleitermaterialien, die der Oxidschicht entspricht, ist die Grenzfläche zwischen Silizium und Siliziumdioxid perfekt. Mit der Entwicklung der Technologie wird die Kontrolle von Schnittstellendefekten immer besser. Beispielsweise waren die Auswirkungen von Mängeln nach der Reinraumrenovierung sehr gering. Gleichzeitig kann Siliziumdioxid beim Einspritzen von Verunreinigungen als Abschirmschicht dienen und Verunreinigungen wie Phosphor und Bor wirksam blockieren.
Zweitens ist hochreines Siliziumpulver ein sehr stabiles Isolatormaterial (seine Energielücke beträgt etwa 9 EV, ich weiß nicht, ob ich mich richtig erinnere), während Germaniumdioxid nicht nur bei hohen Temperaturen instabil, sondern auch darin löslich ist Wasser. Bei Siliziumdioxid gibt es überhaupt kein solches Problem. Durch die große Energielücke von Siliziumdioxid wird der Leckstrom kleiner (natürlich erhöht sich der Leckstrom, wenn die Oxidschicht zu dünn ist).
Im Vergleich zu Germanium weist hochreines Siliziumpulver eine größere Energielücke auf und kann daher höheren Betriebstemperaturen und einem größeren Dotierungsbereich für Verunreinigungen standhalten. Auch die Durchbruchspannung von Siliziummaterialien wird höher sein. Früher bestanden alle Halbleiterbauelemente aus Germanium. Die Technologie war ausgereift und die Schaltreaktionsgeschwindigkeit war schneller. Diese Sache erfordert jedoch hohe Kosten. Kapitalisten entschieden sich für Silizium, so dass viele Wissenschaftler damit begannen, Durchbrüche bei Silizium zu erzielen. Dies hängt natürlich mit den vielen hervorragenden Eigenschaften von Silizium selbst zusammen, wie zum Beispiel große Reserven und stabile Leistung. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass Kieselsäure ein natürlicher Isolator ist und nach der Wärmebehandlung direkt als Zwischenschicht verwendet werden kann.
Hochreines Siliziumpulver mit einem Siliziumgehalt von 99 % (2N), 99,9 % (3N), 99,99 % (4N) und extrem geringen Sauerstoff-, Kohlenstoff-, Phosphor-, Schwefel- und Metallverunreinigungen, das die Anforderungen industrieller Prozesse mit hoher Qualität erfüllen kann Anforderungen an Verunreinigungen. Bedürfnisse und füllt die Lücke im Bereich inländischer hochreiner industrieller Siliziumpulver. Aluminiumlegierungen, Titanlegierungen, Kupferlegierungen, Hochleistungs-Siliziumnitrid und Kohlenstoff...
